（本文作者为 邱吉洲聊AIDC电源模块南阳家具封边胶价格，钛媒体经授权发布）
文 | 邱吉洲聊AIDC电源模块
引言：颗芯片，吃掉座小城市的电如果你关注 AI 和数据中心行业，你可能听过这样句话："力的尽头是电力。" 这并非夸张。
以英伟达（NVIDIA）新的 GPU 为例，单颗芯片的功耗已经从几年前的 300W 飙升到 1000W 以上，未来甚至可能突破 2000W——相当于台用空调的功率，全部集中在张银行卡大小的芯片上。夸张的是，这些芯片的工作电压低（不到 1V），这就意味着供电电流达数千安培。
在这种"低压大电流"的端条件下，传统的供电式已经走到尽头。于是，种被称为 VPD（Vertical Power Delivery，垂直供电）的新技术应运而生，正在成为 AI 芯片行业的"标配"。
本文将用通俗的语言，带你理解：为什么 VPD 如此重要？它改变了什么？谁会从中受益？
、传统供电的瓶颈：为什么"横向"不够用了？1.1 个直观比喻：水管越长，水压损失越大想象你要给栋 50 层的楼供水。如果把水泵放在大楼旁边的地面上，水需要经过很长的管道才能到达顶层，路上水压损失巨大。好的案是把水泵放在楼顶附近，缩短输水距离。
AI 芯片的供电问题，本质上是样的道理。
传统的供电式是"横向供电"（Lateral Power Delivery，LPD）：电源模块放在芯片旁边的主板上，电流从电源模块出发，穿过印刷电路板（PCB）的铜层、穿过成百上千个细小的焊球（BGA Solder Ball）、穿过封装基板，后到达芯片核心。整个路径弯弯曲曲，长度可能达到几厘米。
在电流只有几十安培的年代，这点距离不什么。但当电流突破 1000A、2000A 甚至时，路径上的每段微小电阻都会被巨大的电流"放大"——这就是 I²R 损耗的核心：电流翻倍，损耗翻四倍。
1.2 个"死循环"传统横向供电还面临个令人头疼的"死循环"：
电流越大 → 需要多焊球来传输电流焊球越多 → 封装面积越大封装面积越大 → 供电路径越长、电阻越电阻越 → 损耗大、需要強的供电能力又回到步……终，仅仅为了给芯片供电所需的面积，可能接近甚至过芯片本身的面积。这个模式的物理天花板已经触手可及。
1.3 压倒骆驼的后根稻草：HBM 挤占了所有空间关键的是，新代 AI 芯片需要在 GPU/XPU 周边放置大量 HBM（带宽内存），HBM 已经占据了封装周围几乎所有的物理空间。2026 年 CES 上，英伟达宣布其下代 Rubin 架构将 采用 VPD——原因很简单：HBM4 内存已经没有给横向供电留位置了。
二、VPD 是什么？张图就够了，我们来用文字画给你VPD 的核心思想其简洁：把电源模块放到芯片的正下（PCB 背面），让电流"垂直向上"穿透 PCB 层直接给芯片供电。
个比：传统横向供电，好比把电源放在桌子旁边，电线绕圈才接到桌上的设备；VPD 则是在桌子下直接孔，电源从正下垂直供电——路径短、损耗小。
这不是简单的"把电源做得小"，而是次供电路径的系统重构。用句工程师的话来概括：VPD 是用空间位置换取电气率，用封装复杂度换取系统可扩展。
2.1 VPD 的四大核心收益收益维度
具体表现
通俗理解
大幅降低损耗
PDN 电阻从 90~140 μΩ 降至 10~15 μΩ，降低约 89
原来 30 的电浪费在路上，现在不到 5
释放主板空间
电源模块移到背面，正面留出空间
可以多放 HBM 内存和光模块
供电质量
路径缩短 → 电感降低 → 瞬态响应快南阳家具封边胶价格
AI 突时电压不会"掉链子"
支撑电流
突破焊球瓶颈，可扩展到 10000A+
支持下代强 AI 芯片
2.2 关键技术概念：In-Package IVRVPD 的种核心实现式是 In-Package IVR（封装内集成电压调节器）。它的关键理念是：把电压转换的位置尽量靠近芯片核心，让电压（损耗小）走长途，让低压大电流只走短距离。
具体来说，IVR 可以在封装内部完成 48V→0.8V 的电压转换，根据转换比的不同，衍生出 2:1、4:1、8:1 等多种拓扑案。每代都意味着短的电流路径和的系统率。
三、技术演进：从"贴膏药"到"嵌入式"的三步走英飞凌（Infineon）提出了个清晰的三阶段演进框架，已经得到行业广泛认可：
阶段
名称
案描述
PDN 总电阻
状态
阶段
离散/横向供电
(Discrete/Lateral)
功率、电感、电容布置在芯片旁边；成本低，生态成熟
90~140 μΩ
成熟，但逼近限
二阶段
背面垂直供电
(BVM, Backside Vertical Module)
供电模块放在 PCB 背面、芯片正下，垂直穿透供电
10~15 μΩ
（降低 89）
★ 当前大规模
商业化阶段南阳家具封边胶价格
三阶段
基板集成稳压器
(SIVR)
电压调节器直接集成在封装基板内，保温护角专用胶路径致精简
7~10 μΩ
（降低 93）
概念/预研阶段
需芯片厂牵头
目前，我们正处于二阶段（BVM）的大规模商业化起点。标志事件就是英伟达 Rubin 架构采用 VPD 案。而三阶段的 SIVR 可能需要台积电（TSMC）等晶圆厂与芯片设计公司度作才能实现，预计还需要 3~5 年。
四、产业链全景：谁在布局 VPD？VPD 不是公司的事情，它是个横跨芯片设计、封装、电源管理 IC、磁元件、PCB 制造的完整产业链。以下是主要参与者的梳理：
4.1 芯片设计（需求驱动者）英伟达（NVIDIA）：Rubin 架构率先采用 VPD，是大动力谷歌（Google）：TPU 自研芯片也在探索 VPD 路线英特尔（Intel）、AMD：均有布局华为：已提交"芯片垂直供电系统"发明利4.2 电源案提供商（核心受益者）公司
核心案
关键指标
备注
Vicor
（美）
Factorized Power
Architecture (FPA)
三层集成模块
PDN 电阻 5~7 μΩ
损耗降低 95
支持 >1000A
大受益者
曾占 48V AI 市场 85
英伟达确认作伙伴南阳家具封边胶价格
Infineon
（德）
OptiMOS TDM2454xx
四相功率模块
真正垂直供电
电流密度 2A/mm²
四相 280A
封装 10×9 mm²
沟槽式技术 +
嵌入式芯片封装
MPS
（美/中）
Z 轴供电（ZPD）
MPC24380 等
PDN 损耗降低 >10 倍
功率密度 2A/mm²
四路 260A
集成输出电容
DrMOS 顶置散热
ADI
（美）
Notch CL 耦电感
早期研究
瞬态与纹波
尚需客户验证
Delta（台湾）
双层叠板集成模块
16相，24相，28相，32相，40相
埋电感技术
Renesas
（日）
多相控制器 +
DrMOS 功率
支持 AI 大电流场景
生态成熟
奥力斯 万能胶生产厂家 联系人：王经理 手机：13903175735（微信同号） 地址：河北省任丘市北辛庄乡南代河工业区
4.3 封装与制造环节台积电（TSMC）：CoWoS 封装是 VPD 的关键载体，In-Package IVR 依赖 TSMC 的低阻 Interposer 和 RDL 互连技术日月光（ASE）、安靠（Amkor）：封装测试环节PCB 厂商：多层板、厚铜板需求增加，如沪电股份、南电路、中富电路等4.4 上游材料与器件磁元件（电感/变压器）：VPD 模块要求薄、频率、低损耗——是核心增量环节电容：密度、低 ESL 的 MLCC 需求增长五、市场前景：个正在爆发的百亿赛道5.1 AI 数据中心的电力"黑洞"AI 正在改变数据中心的电力需求结构：
数据中心目前消耗全球约 2 的电力AI 动下，2023-2030 年数据中心功率需求预计增长 165单颗 AI 芯片的功耗从 400W（2020）→ 1000W（2024）→ 2000W+（2026-2027）核心电压持续走低（6~0.8V），使电流呈指数增长这种趋势下，VPD 不仅是"好的案"，而是"唯可行的案"。
5.2 市场量估基于公开信息：
英伟达 Rubin 系列 GPU 预计 2026-2027 年出货量在百万颗别每颗端 GPU 对应套 VPD 电源模块（含多路输出），价值约 50~200 美元仅英伟达 GPU 对应的 VPD 市场，年规模可达 5~20 亿美元加上谷歌 TPU、AMD、英特尔、华为等，以及数据中心整机柜案，整体 VPD 相关市场规模有望在 2030 年前突破 50 亿美元如果考虑上游磁元件、电容、PCB 等配套市场，间接带动的产业链规模为可观5.3 关键催化节点2026 年 CES：英伟达官宣 Rubin 采用 VPD → 行业确定确立2026-2027：Rubin 量产 → VPD 进入大规模验证阶段2027-2028：AMD、谷歌等跟进 → VPD 成为行业标配2028-2030：SIVR（封装内集成）开始落地 → 下波技术升六、投资视角：关注什么？6.1 确定的环节VPD 电源模块供应商是确定的受益向。目前主要的厂是Vicor， Flex Power和Delta，但 Infineon、MPS 等也在快速追赶，后起之秀还有沛塬和能利芯。
6.2 增量大的环节磁元件（芯片电感/变压器）可能是增量大的环节之。VPD 模块中的薄电感是核心难点，每颗 GPU/XPU 需要多个电感，且对频率、损耗、尺寸有严格要求。
A 股相关概念标的包括：铂科新材（金属磁粉芯）、东睦股份（体成型电感）、顺络电子（片式电感）等。
6.3 长期逻辑：从"芯片"到"系统"VPD 的广意味着电源不再是附属品，而是与芯片度绑定的系统组件。英伟达的 MGX、Rubin 整机柜案已经体现了这种趋势——芯片公司越来越像个"系统公司"，VPD 是其中不可或缺的环。
这意味着：电源管理从"配角"升为"核心组件"，相关企业的行业地位和议价能力有望系统提升。
6.4 需要关注的风险技术迭代风险：VPD 涉及封装、频开关、精密控制等多学科交叉，技术门槛，早期良率和可靠可能不达预期。供应链集中度：VPD电源模块主要是客制化的需求，大可能带来供应链风险，英伟达等下游客户有动力扶持二供。散热难题：电源模块放在芯片正下，两股热量叠加，对散热设计提出要求。工程化风险：VPD对于材料，用胶，封装结构设计，老化、测试等都相对于其他砖块电源有的挑战，工程化及量产的可靠目前是业界大的挑战。地缘政：端芯片和封装的地缘限制可能影响 VPD 的供应链格局。七、总结：VPD 为什么值得关注？如果把 AI 芯片比作"大脑"，那么供电系统就是"心脏"——大脑越强大，对心脏的要求就越。VPD 的本质，是为这颗越来越强大的"AI 心脏"铺设条短、的"管"。
以下几点值得记住：
VPD 不是项"渐进改良"，而是次供电架构的范式转移——从"横向绕路"到"垂直直达"；英伟达 Rubin 的采用，标志着 VPD 从"可选案"升为"确定路线"；2026-2028 年将是 VPD 大规模商业化的关键窗口期；Vicor， Flex Power和Delta是当前明确的受益标的，但竞争格局仍在快速演变中；对于产业链而言，磁元件、 PCB、封装测试及VPD模块等环节存在结构机会。—— 数据来源：TSMC APEC2026 资料、Vicor 官网、Infineon 公开资料、EET-China 等公开信息整理
作者：邱吉洲，南京能利芯科技有限公司总裁
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